Модуль «Полупроводники-2»

Темы обучения:
Исследование характеристик тиристоров (SCR), полевых транзисторов с управляющим PN-переходом (J-FET), МОП-транзисторов с изолированным затвором (MOS-FET) экспериментальным способом.

Список компонентов:

Схема 1: Характеристики J-FET
— 1 х C1, конденсатор 104 (0,1мкФ)
— 1 х C2, электролитический конденсатор 25В/10мкФ
— 1 х C3, электролитический конденсатор 25В/10мкФ
— 1 х C4, конденсатор 104 (0,1мкФ)
— 1 х Q1, полевой транзистор J-FET
— 1 х R1, потенциометр VR
— 1 x R2, сопротивление 0,25 Вт, 1кОм
— 1 х R3, сопротивление 0,25 Вт, 1кОм
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 100 Ом
— 1 х R5, потенциометр VR
— 1 х U1, микросхема (DIP)

Схема 2: Характеристики MOS-FET
— 1 х Q1, МОП-транзистор
— 1 х R1, потенциометр VR
— 1 х R2, сопротивление 0,25 Вт, 4,7кОм
— 1 х R3, сопротивление 0,25 Вт, 10кОм
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 1кОм
— 1 х R5, потенциометр VR

Схема 3: Характеристики SCR
— 1 х L1, лампа (штыревой контакт) DC12V
— 1 х Q1, тиристор SCR
— 1 х R1, сопротивление 2 Вт, 510 Ом
— 1 х R2, сопротивление 0,25 Вт, 200 Ом
— 1 х R3, потенциометр VR
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 1кОм
— 1 х S1, тумблер SW

Схема 4: Характеристики TRIAC
— 1 х L1, лампа (штыревой контакт) DC12V
— 1 x Q1, симистор TRIAC
— 1 х R1, сопротивление 2 Вт, 510 Ом
— 1 х R3, потенциометр VR
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 1кОм
— 1 х S1, тумблер SW

Общие характеристики:
— 1 печатная плата PCB, 280x216x1,6T
— Разъем 58 х 2 мм