Экспериментальная установка «Определение ширины запрещённой зоны полупроводника»

Эксперименты:
1 Определение обратного тока насыщения.
2 Исследование ширины запрещенной зоны p-n перехода.
3 Исследование емкости перехода.

Характерные особенности:
• Подходит для диодов, транзисторов.
• Встроенный источник тока, генератор напряжения смещения.
• Встроенный блок питания для нагревателя.

Основной блок
Селекторный переключатель: эксперимент VI и VT, Смещение и Переход

Селекторный переключатель V-I позиции/связь
Дисплей вольтметра: 3½ разряда, 7-сегментный светодиод, автоматическая полярность
Диапазон напряжения : 0,000-1,999 В
Текущий дисплей: 3½ цифры, 7-сегментный светодиод
Текущий диапазон: 0-20 мА

Селекторный переключатель V-T позиции/связь
Индикатор напряжения: 3½ разряда, 7-сегментный светодиод
Диапазон напряжения: 0,000-1,999 В
Дисплей температуры: 3½ цифры, 7-сегментный светодиод
Температурный диапазон: от 273 К до 353 К

CRO в предвзятой позиции:
Частота: 5 кГц и 20 кГц
Напряжение: 220 мВ (размах)
Выходной разъем: 3-контактный, тип DIN
Диапазон напряжения: 0,00-10,00 В
Печь: контакты 4 и 5 нагревателя. Контакты 1 и 2 температуры
Разъем для подключения печи: 5-контактный, тип DIN
Диод и транзистор: безопасное гнездо 4 мм
Входное напряжение: 220 В, 50 Гц переменного тока

Печь с датчиком температуры
Нагревательный элемент: 35 Ом
Разъем подключения печи: 5-контактный, тип DIN
Температура нагрева максимальная: 353K
Датчик температуры: Pt100
Выходной контакт: контакты 4 и 5 нагревателя. Контакты 1 и 2 температуры

Биполярный транзистор
Транзистор: NPN
Тип: BC109
Разъем подключения: 4-мм штекерное гнездо