Модуль «Генератор»

Темы обучения:
— Характеристики колебательного контура RC.
— Характеристики генератора «Мост Вена».
— Характеристики генератора «Колпитца».
— Характеристики генератора «Хартли».
— Характеристики Кварцевого генератора.

Список компонентов:

Схема 1: Генератор фазового сдвига
— 1 х C1, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C2, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C3, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C4, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C5, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C6, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C7, многослойный конденсатор 0,1мкФ / 100n
— 1 х C8, многослойный конденсатор 0,1мкФ / 100n
— 1 х C9, многослойный конденсатор 0,1мкФ / 100n
— 1 х Q1, полевой транзистор J-FET
— 1 х R1, сопротивление0,25 Вт, 100кОм
— 1 х R2, сопротивление 0,25 Вт, 100кОм
— 1 х R3, сопротивление 0,25 Вт, 100кОм
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 40кОм
— 1 х R5, потенциометр VR

Схема 2: Генератор Мост Вена
— 1 х C1, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C2, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C3, конденсатор 104 (0,1мкФ)
— 1 х C4, конденсатор 104 (0,1мкФ)
— 1 х L1, маленькая лампочка (штыревой разъем) DC12V Φ6
— 1 х R1, потенциометр VR
— 1 х R2, потенциометр VR
— 1 х R3, сопротивление 0,25 Вт, 1кОм
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 330 Ом
— 1 х U1, микросхема (DIP)

Схема 3: Генератор Колпитца
— 1 х C1, многослойный конденсатор 0,01мкФ / 10n
— 1 х C2, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 x C3 керамический конденсатор 471 (470пФ)
— 1 х C4, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 свинцовая катушка L1 220 мкГн (221)
— 1 свинцовая катушка L2 330 мкГн (331)
— 1 х Q1, транзистор
— 1 х R1, сопротивление0,25 Вт, 1МОм
— 1 х R2, сопротивление 0,25 Вт, 10кОм

Схема 4: Генератор Хартли
— 1 керамический конденсатор C1 101 (100пФ)
— 1 керамический конденсатор C2 101 (100пФ)
— 1 керамический конденсатор C3 50 (5пФ)
— 1 х L1, индуктор
— 1 х Q1, транзистор
— 1 х R1, сопротивление0,25 Вт, 1МОм

Схема 5: Кварцевый генератор
— 1 х C1, многослойный конденсатор 0,01мкФ / 10n
— 1 х C2, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C3, многослойный конденсатор 0,001мкФ/1n
— 1 х C4, многослойный конденсатор 0,01мкФ /10n
— 1 х Q1, транзистор
— 1 х R1, сопротивление 0,25 Вт, 8,2кОм
— 1 х R2, сопротивление 0,25 Вт, 47кОм
— 1 х R3, сопротивление 0,25 Вт, 1,5кОм
— 1 х R4, сопротивление 0,25 Вт, 560 Ом
— 1 х Y1, кварцевый резонатор (DIP)

Общие характеристики:
— 1 печатная плата, 280x216x1,6T
— Разъем 56 х 2 мм